最新东京热 房芯科技 自主研发作念强将来新材料

发布日期:2024-10-05 07:04    点击次数:144

最新东京热 房芯科技 自主研发作念强将来新材料

□本报记者 李凤虎 刘梦珂最新东京热

“这是氮化硅浆料、氮化硅超细粉和颗粒,这是氮化硅陶瓷基板、氮化硅陶瓷覆铜基板等居品,国表里出产这类材料的企业较少,咱们是河南省独一专科从事氮化硅陶瓷基板等居品研发、出产与销售的高新期间企业。”9月30日,在位于商丘豫商经济期间开发区的河南房芯新材料科技有限公司(以下简称“房芯科技”)展厅,公司董事长兼总司理周水杉向记者先容氮化硅陶瓷材料出产情况。

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氮化硅是耐高温、耐摩擦、耐腐蚀以及具有高断裂韧性、致密化学热褂讪性的先进陶瓷绝缘基板材料。优异的性能,决定了氮化硅陶瓷基板是与第三代半导体最好匹配的绝缘基板,是大功率半导体器件的关节材料。2023年8月,房芯科技落户豫商经济期间开发区,步地总投资20亿元,主要出产氮化硅陶瓷基板、氮化硅陶瓷AMB覆铜基板等。该公司坚抓自主研发,努力已毕国产化居品替代,措置我国在这一畛域的“卡脖子”问题。步地一期开垦年产300万片氮化硅陶瓷基板出产线,二期开垦年产1000万片氮化硅陶瓷基板出产线,达产后将成为国内最大的半导体氮化硅陶瓷基板出产企业。

周水杉先容,在电动汽车、智能电网等特高压、大功率附近所在,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在初始进程中会产生无数热量,而氮化硅陶瓷覆铜基板通过优厚的导热性能,将热量飞速传导至外壳并幽闲出去,能有用缩小模块的责任温度,擢升系统的褂讪性和可靠性。同期,其高电绝缘性和低延迟扫数也确保了模块在复杂环境下的安全褂讪初始。高可靠氮化硅陶瓷覆铜基板正慢慢成为行业柔和的焦点,国表里科研机构和企业也纷纷勤劳于氮化硅陶瓷覆铜基板的研发与附近。

房芯科技依然研发告捷并可褂讪出产氮化硅基板、氮化硅微珠、氮化硅轴承球、氮化硅结构件四大系列居品最新东京热,现在开垦正在调试中,力图本年年底投产。步地建成后,可已毕年产值15亿元。

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